TDM3430
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道
TDM3430的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）40A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.7mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.7W
类型N沟道
TDM3430
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| TDM3430 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 | Techcode(泰德) |  | 205.18 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
TDM3430的全球分销商及价格
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立创商城 | TDM3430 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 | 1+:￥10
10+:￥7.35
30+:￥6.86
100+:￥6.37
500+:￥6.16
1000+:￥6.05
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