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TDM3424 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道
TDM3424的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻23mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W

类型N沟道

供应商TDM3424
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TDM3424连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道Techcode(泰德)Techcode(泰德)的LOGO266.83 Kbytes共7页TDM3424的PDF下载地址
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TDM3424Techcode(泰德)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道1+:¥1.5654
10+:¥1.1906
30+:¥1.1217
100+:¥1.0529
500+:¥1.0223
1000+:¥1.0072