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TDM3415 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):17.6A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道
TDM3415的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)17.6A

栅源极阈值电压2.3V @ 250uA

漏源导通电阻15mΩ @ 10A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W

类型P沟道

供应商TDM3415
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30+:¥1.351
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500+:¥1.2215
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