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TDM3307A /连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
TDM3307A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)24A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻10.5mΩ @ 13A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W

类型P沟道

供应商TDM3307A
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TDM3307A连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道Techcode(泰德)Techcode(泰德)的LOGO689.37 Kbytes共7页TDM3307A的PDF下载地址
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TDM3307ATechcode(泰德)连续漏极电流(Id)(25°C 时):24A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:10.5mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.8467
10+:¥1.3981
30+:¥1.3157
100+:¥1.2334
500+:¥1.1967
1000+:¥1.1786