TDM3534
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道
TDM3534的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）20W(Tc)
类型双N沟道
TDM3534
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| TDM3534 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道 | Techcode(泰德) |  | 642.41 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TDM3534的全球分销商及价格
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立创商城 | TDM3534 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道 | 1+:￥1.6459
10+:￥1.2361
30+:￥1.1608
100+:￥1.0855
500+:￥1.0521
1000+:￥1.0356
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