TDM3532
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：131A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道
TDM3532的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）131A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻1.9Ω @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）78W(Tc)
类型N沟道
TDM3532
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| TDM3532 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：131A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道 | Techcode(泰德) |  | 604.94 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TDM3532的全球分销商及价格
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立创商城 | TDM3532 | Techcode(泰德) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：131A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥2.84
10+:￥2.11
30+:￥1.97
100+:￥1.84
500+:￥1.78
1000+:￥1.75
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