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TDM3428B /连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道
TDM3428B的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻10.8mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W

类型N沟道

供应商TDM3428B
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TDM3428B连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道Techcode(泰德)Techcode(泰德)的LOGO374.50 Kbytes共7页TDM3428B的PDF下载地址
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TDM3428BTechcode(泰德)连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道1+:¥0.9774
10+:¥0.729975
30+:¥0.684525
100+:¥0.639075
500+:¥0.6189
1000+:¥0.608925