TDM3428B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道
TDM3428B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)45A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W
类型N沟道
TDM3428B
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TDM3428B | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 | Techcode(泰德) |  | 374.50 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
TDM3428B的全球分销商及价格
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 立创商城 | TDM3428B | Techcode(泰德) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 | 1+:¥0.9774 10+:¥0.729975 30+:¥0.684525 100+:¥0.639075 500+:¥0.6189 1000+:¥0.608925
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