图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)50A(Tc)
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻3.4mΩ @ 13.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)35W(Tc)
类型N沟道