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Si2323DDS-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
Si2323DDS-T1-GE3的规格信息
Si2323DDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:24 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.7 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.45 mm

长度:2.9 mm

系列:SI2

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.6 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:18 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:52 ns

典型接通延迟时间:24 ns

单位重量:8 mg

供应商Si2323DDS-T1-GE3
Si2323DDS-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI2323DDS-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2323DDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2323DDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市兴中芯科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
13113670037		唐先生Email:chenglong@xzxic.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司Si2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2323DDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
Si2323DDS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SI2323DDS-T1-GE3P-Channel 30 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1047.93 Kbytes共9页SI2323DDS-T1-GE3的PDF下载地址无
Si2323DDS-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：39mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO215.45 Kbytes共10页Si2323DDS-T1-GE3的PDF下载地址无
Si2323DDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2323DDS-T1-GE3Siliconix / VishaySI2323DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 4.3 A; 20 V; 3-Pin TO-236+3000:$1.06
+150000:$1.03
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2323DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III3000+:￥1.44
6000+:￥1.34
15000+:￥1.26
30000+:￥1.19
75000+:￥1.1601
150000+:￥1.111+:￥3.48
10+:￥2.58
100+:￥1.92
500+:￥1.63
1000+:￥1.44
3000+:￥1.37
6000+:￥1.37
9000+:￥1.26
24000+:￥1.233000+:￥1.17991+:￥1.5001
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2323DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III3000+:￥1.44
6000+:￥1.34
15000+:￥1.26
30000+:￥1.19
75000+:￥1.1601
150000+:￥1.111+:￥3.48
10+:￥2.58
100+:￥1.92
500+:￥1.63
1000+:￥1.44
3000+:￥1.37
6000+:￥1.37
9000+:￥1.26
24000+:￥1.233000+:￥1.1799
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2323DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III3000+:￥1.44
6000+:￥1.34
15000+:￥1.26
30000+:￥1.19
75000+:￥1.1601
150000+:￥1.11
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2323DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III3000+:￥1.44
6000+:￥1.34
15000+:￥1.26
30000+:￥1.19
75000+:￥1.1601
150000+:￥1.111+:￥3.48
10+:￥2.58
100+:￥1.92
500+:￥1.63
1000+:￥1.44
3000+:￥1.37
6000+:￥1.37
9000+:￥1.26
24000+:￥1.23
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2323DDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-231:¥4.6895
10:¥3.5369
100:¥2.6329
500:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.6385
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2323DDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 39mOhm@4.5V -5.3A P-Ch G-III3000+:￥1.44
6000+:￥1.34
15000+:￥1.26
30000+:￥1.19
75000+:￥1.1601
150000+:￥1.111+:￥3.48
10+:￥2.58
100+:￥1.92
500+:￥1.63
1000+:￥1.44
3000+:￥1.37
6000+:￥1.37
9000+:￥1.26
24000+:￥1.233000+:￥1.17991+:￥1.50011+:￥0.9
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		Si2323DDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：39mΩ @ 4.1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 类型：P沟道1+:￥2.16
10+:￥1.65
30+:￥1.56
100+:￥1.4162
500+:￥1.3774
1000+:￥1.358
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SI2323DDS-T1-GE3VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道5+:￥0.584344
50+:￥0.439362
150+:￥0.412732
500+:￥0.386103
2500+:￥0.374268
5000+:￥0.36842
Si2323DDS-T1-GE3的相关型号
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