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HSBB8008 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道

HSBB8008的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻4.9mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）31W

类型N沟道

HSBB8008

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	HSBB8008	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	HSBB8008	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSBB8008	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	HSBB8008	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSBB8008	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	HSBB8008	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
HSBB8008	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道	HUASHUO(华朔)		870.10 Kbytes	共5页		无

HSBB8008的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	HSBB8008	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道	1+:￥1.4213 10+:￥1.0265 30+:￥0.954 100+:￥0.8814 500+:￥0.8492 1000+:￥0.8333

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