HSBB6056
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27.8W 类型:N沟道
HSBB6056的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)30A
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻8.5mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)27.8W
类型N沟道
HSBB6056
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HSBB6056 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27.8W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 785.36 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSBB6056 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):27.8W 类型:N沟道 | 1+:¥1.6862 10+:¥1.2414 30+:¥1.1597 100+:¥1.078 500+:¥1.0417 1000+:¥1.0238
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