HSBB4062
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道
HSBB4062的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)33A
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻15mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)31W
类型N沟道
HSBB4062
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HSBB4062 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 763.91 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSBB4062 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:N沟道 | 1+:¥1.0989 10+:¥0.809 30+:¥0.7558 100+:¥0.7025 500+:¥0.6789 1000+:¥0.6672
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