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HSBB3214 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W 类型：双N沟道

HSBB3214的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）-30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 15A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）26W

类型双N沟道

HSBB3214

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深圳市芯幂科技有限公司	HSBB3214	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
集好芯城	HSBB3214	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	HSBB3214	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	HSBB3214	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市荣创芯微科技有限公司	HSBB3214	深圳市福田区华强北都会B做12N	0755-82501483 15818715186	郭小姐	询价
深圳市德州众泰科技有限公司	HSBB3214	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82575351 13360063783	廖小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
HSBB3214	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W 类型：双N沟道	HUASHUO(华朔)		384.54 Kbytes	共5页		无

HSBB3214的全球分销商及价格

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立创商城	HSBB3214	HUASHUO(华朔)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：26W 类型：双N沟道	1+:￥0.8337 10+:￥0.6138 30+:￥0.5734 100+:￥0.533 500+:￥0.515 1000+:￥0.5061

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