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TK10P60W,RVQ /MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
TK10P60W,RVQ的规格信息
TK10P60W,RVQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:TK10P60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:4 g

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Shenzhen Qtree Technology Co.,LtdTK10P60W,RVQ5902ab,SEG Plaza,Huaqiang North Road,Futian District,Shenzhen(0755)-82575207
+86-13662647789
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10P60W,RVQ兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213810751078
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深圳市创芯弘科技有限公司TK10P60W,RVQ华富路华匀大厦2栋0755-88377859
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深圳市吉铭贸易有限公司TK10P60W,RVQ深圳市福田区3031号汉国中心130313415041888
13415041888
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TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.78
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TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 9.7A DPAK$2.89000
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Mouser 贸泽电子
TK10P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC1:¥25.1312
10:¥22.7469
100:¥18.2834
500:¥14.2154
1,000:¥11.752
2,000:¥11.2209
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TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.781+:¥15.98
10+:¥12.84
100+:¥10.3501
500+:¥10.3501
1000+:¥9.61
2000+:¥8.82
4000+:¥8.66
10000+:¥8.36
24000+:¥8.06