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TK10P60W,RVQ /MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
TK10P60W,RVQ的规格信息
TK10P60W,RVQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:9.7 A

Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:TK10P60W

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:75 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:4 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10P60W,RVQ北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
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集好芯城TK10P60W,RVQ深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783
杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10P60W,RVQ深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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深圳市坤融电子有限公司TK10P60W,RVQ航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
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集好芯城TK10P60W,RVQ深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市拓亿芯电子有限公司TK10P60W,RVQ深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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13352985419,19076157484
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19854773352
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深圳市昌明长信电子有限公司TK10P60W,RVQ深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座26层0755-83031171
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TK10P60W,RVQ的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.78
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TK10P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 9.7A DPAK$2.89000
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Mouser 贸泽电子
TK10P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC1:¥25.1312
10:¥22.7469
100:¥18.2834
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1,000:¥11.752
2,000:¥11.2209
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Mouser 贸泽电子
TK10P60W,RVQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC2000+:¥8.75
6000+:¥8.42
10000+:¥8.1
50000+:¥7.781+:¥15.98
10+:¥12.84
100+:¥10.3501
500+:¥10.3501
1000+:¥9.61
2000+:¥8.82
4000+:¥8.66
10000+:¥8.36
24000+:¥8.06