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TK10A60D(STA4,Q,M) /FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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制造厂商:Toshiba America Electronic Components, Inc.

描述:FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A

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深圳市中飞凌科技有限公司TK10A60D深圳市福田区华康大厦1栋62315307553891
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深圳市新启创电子科技有限公司TK10A60D深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A0755-83987343
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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子(香港)有限公司TK10A60D(STA4,X,M)深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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深圳市德鸿芯科技有限公司TK10A60D(Q龙华新区民治樟坑东明大厦
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深圳市天卓伟业电子有限公司TK10A60D深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城TK10A60D深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市昌明长信电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座26层0755-83031171
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上海三崧电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层021-51571123
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深圳市百域芯科技有限公司TK10A60D(STA4.X.M)世纪汇都会轩4507400-666-5385
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TK10A60DSwitching Regulator Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO164.35 Kbytes共6页TK10A60D的PDF下载地址
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TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET MOSFET N-ch 600V 10AToshibaToshiba的LOGO266.60 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO272.23 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO272.23 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
TK10A60D(STA4,Q,M)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO248.70 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
TK10A60D的全球分销商及价格
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Am2
TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
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100+:¥11.53
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
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TK10A60DToshiba America Electronic ComponentsN-CH MOS TYPE 600V 10A RDS=0.62OHM2,500 : $0.57
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
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TK10A60D(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.71
10+:¥9.48
30+:¥8.88
100+:¥8.29
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