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TK100A06N1,S4X /MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
TK100A06N1,S4X的规格信息
TK100A06N1,S4X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220FP-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:140 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK100A06N1

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

单位重量:6 g

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TK100A06N1,S4XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥19.93
10+:¥18.01
25+:¥16.07
100+:¥14.47
250+:¥12.8601
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TK100A06N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V1:¥21.131
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100+:¥14.47
250+:¥12.8601
500+:¥11.25
1000+:¥9.32
2500+:¥8.6850+:¥12.84
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500+:¥10.27
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