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TK100E10N1,S1X(S /MOSFET,N-channel,100V,207A,TO220
TK100E10N1,S1X(S的规格信息
TK100E10N1,S1X(S的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流207 A

最大漏源电压100 V

最大漏源电阻值3.4 m0hms

最大栅阈值电压4V

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别开关调节器

最大功率耗散255 W

每片芯片元件数目1

尺寸10.16 x 4.45 x 15.1mm

宽度4.45mm

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs140 nC @ 10 V

高度15.1mm

系列U-MOSVIII-H

典型输入电容值@Vds8800 pF @ 50 V

典型关断延迟时间140 ns

典型接通延迟时间59 ns

正向二极管电压1.2V

最高工作温度+150 °C

长度10.16mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商TK100E10N1,S1X(S
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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TK100E10N1,S1X(S连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO247.36 Kbytes共9页TK100E10N1,S1X(S的PDF下载地址无
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立创商城		TK100E10N1,S1X(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道1+:￥8.62
10+:￥6.49
30+:￥6.1
100+:￥5.71
500+:￥5.54
1000+:￥5.45
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