TK100E10N1,S1X(S
/MOSFET,N-channel,100V,207A,TO220
TK100E10N1,S1X(S的规格信息
通道类型N
最大连续漏极电流207 A
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值3.4 m0hms
最大栅阈值电压4V
最小栅阈值电压2V
最大栅源电压-20 V、+20 V
封装类型TO-220
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别开关调节器
最大功率耗散255 W
每片芯片元件数目1
尺寸10.16 x 4.45 x 15.1mm
宽度4.45mm
晶体管材料Si
典型栅极电荷@Vgs140 nC @ 10 V
高度15.1mm
系列U-MOSVIII-H
典型输入电容值@Vds8800 pF @ 50 V
典型关断延迟时间140 ns
典型接通延迟时间59 ns
正向二极管电压1.2V
最高工作温度+150 °C
长度10.16mm
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TK100E10N1,S1X(S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) | | 247.36 Kbytes | 共9页 | | 无 |
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立创商城 | TK100E10N1,S1X(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥8.62 10+:¥6.49 30+:¥6.1 100+:¥5.71 500+:¥5.54 1000+:¥5.45
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