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TK100E10N1,S1X(S /MOSFET,N-channel,100V,207A,TO220
TK100E10N1,S1X(S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型N

最大连续漏极电流207 A

最大漏源电压100 V

最大漏源电阻值3.4 m0hms

最大栅阈值电压4V

最小栅阈值电压2V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型TO-220

安装类型通孔

引脚数目3

通道模式增强

类别开关调节器

最大功率耗散255 W

每片芯片元件数目1

尺寸10.16 x 4.45 x 15.1mm

宽度4.45mm

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs140 nC @ 10 V

高度15.1mm

系列U-MOSVIII-H

典型输入电容值@Vds8800 pF @ 50 V

典型关断延迟时间140 ns

典型接通延迟时间59 ns

正向二极管电压1.2V

最高工作温度+150 °C

长度10.16mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

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TK100E10N1,S1X(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道1+:¥8.62
10+:¥6.49
30+:¥6.1
100+:¥5.71
500+:¥5.54
1000+:¥5.45