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TK100E06N1,S1X /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TK100E06N1,S1X的规格信息
TK100E06N1,S1X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:TK100E06N1 -

特色产品:Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET Toshiba - U-MOSⅧ-H MOSFETs

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10500pF @ 30V

功率 - 最大值:255W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3

其它名称:TK100E06N1,S1X(STK100E06N1S1X

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Digi-Key 得捷电子
TK100E06N1,S1XToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥18.18
10+:¥16.41
25+:¥14.65
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Mouser 贸泽电子
TK100E06N1,S1XToshibaMOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA1:¥19.21
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500+:¥10.26
1000+:¥8.5001
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1000+:¥8.7
2500+:¥7.98
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