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TK100S04N1L,LQ /MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ的规格信息
TK100S04N1L,LQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:1.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:76 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:100 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:TK100S04N1L

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:19 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:23 ns

单位重量:4 g

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TK100S04N1L,LQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥19.13
10+:¥17.26
25+:¥15.47
100+:¥13.9
250+:¥12.3501
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