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TK10A60D(Q,M) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TK10A60D(Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1350pF @ 25V

功率 - 最大值:45W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:TO-220SIS

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