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TK10J80E,S1E /MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
TK10J80E,S1E的规格信息
TK10J80E,S1E的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20 mm

长度:15.5 mm

系列:TK10J80E

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:7 g

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Shenzhen Qtree Technology Co.,LtdTK10J80E,S1E5902ab,SEG Plaza,Huaqiang North Road,Futian District,Shenzhen(0755)-82575207
+86-13662647789		Eason Linskype:Eason.Lin@qtreeic.comEmail:Eason.Lin@qtreeic.com询价
北京芯时代电子科技发展有限公司TK10J80E,S1E兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213810751078
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17673093037		刘心Email:308007118@qq.COM询价
深圳市骏思创达科技有限公司TK10J80E,S1E振兴西路华康大夏二栋6030755-82734603
13342919596		李Email:3554016920@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10J80E,S1E深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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17775112811		张小姐Email:1263532274@qq.com询价
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深圳市鑫炜纳电子有限公司TK10J80E,S1E红荔路3013号23栋上航大厦4100755-23912157
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Digi-Key 得捷电子		TK10J80E,S1EToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:￥22.48
10+:￥20.09
25+:￥18.08
100+:￥16.48
250+:￥14.87
500+:￥13.34
1000+:￥11.25
2500+:￥10.6901
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		TK10J80E,S1EToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN1:¥23.8204
10:¥19.1309
100:¥17.4472
250:¥15.7522
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Mouser 贸泽电子		TK10J80E,S1EToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:￥22.48
10+:￥20.09
25+:￥18.08
100+:￥16.48
250+:￥14.87
500+:￥13.34
1000+:￥11.25
2500+:￥10.690125+:￥15.98
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