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TK10J80E,S1E /MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
TK10J80E,S1E的规格信息
TK10J80E,S1E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:700 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:46 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20 mm

长度:15.5 mm

系列:TK10J80E

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:35 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:80 ns

单位重量:7 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10J80E,S1E北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10J80E,S1E深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市昌明长信电子有限公司TK10J80E,S1E深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座26层0755-83031171
13691822317
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深圳市华康联电子科技有限公司TK10J80E,S1E深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A0755-83771181
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深圳市言叶科技有限公司TK10J80E,S1E深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路101号华发大院4栋206-217673093037
17673093037
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集好芯城TK10J80E,S1E深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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深圳市拓亿芯电子有限公司TK10J80E,S1E深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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TK10J80E,S1E的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子
TK10J80E,S1EToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥22.48
10+:¥20.09
25+:¥18.08
100+:¥16.48
250+:¥14.87
500+:¥13.34
1000+:¥11.25
2500+:¥10.6901
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Mouser 贸泽电子
TK10J80E,S1EToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN1:¥23.8204
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100:¥17.4472
250:¥15.7522
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Mouser 贸泽电子
TK10J80E,S1EToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品1+:¥22.48
10+:¥20.09
25+:¥18.08
100+:¥16.48
250+:¥14.87
500+:¥13.34
1000+:¥11.25
2500+:¥10.690125+:¥15.98
100+:¥13.09
250+:¥11.93
500+:¥11.93
1000+:¥11.38
2500+:¥10.95
5000+:¥10.62
10000+:¥10.44