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TK10A60D(STA4,Q,M) /MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A60D

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1.5 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:6 g

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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
100+:¥11.53
250+:¥10.26
500+:¥8.97
1000+:¥7.44
2500+:¥6.9358+:¥7.31
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TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
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100:¥11.0627
500:¥9.6841
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TK10A60D(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.71
10+:¥9.48
30+:¥8.88
100+:¥8.29
500+:¥8.03
1000+:¥7.9