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TK10A60D(STA4,Q,M) /MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A60D

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1.5 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:6 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳德泰威尔科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)上步工业区405栋308158-20798353
15820798353
张三军Email:346259228@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)航都大厦11FG0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市昌明长信电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座26层0755-83031171
17302671527
郭俊伟Email:sales@changmingele.com询价
深圳市恒意法电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)都会电子城B座31U0755-83244512,83247710
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李先生,朱小姐Email:szlcwkj@163.com询价
集好芯城TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
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潘红燕Email:hong12280507@163.com询价
深圳振宏微科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)振兴西路星火工场(305栋)4c020755-82577267
16675597235
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深圳市辉华拓展电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-83285882
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万三科技(深圳)有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
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王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市腾迅辉电子科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)华强北路赛格广场44楼4405B室0755-83250795,0755-82519379
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上海含颍电子科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)上海市嘉定区安亭镇嘉松北路6988号1幢1层108室J021-52897571
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13415041888
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TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO272.23 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
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TK10A60D(STA4,Q,M)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO248.70 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
100+:¥11.53
250+:¥10.26
500+:¥8.97
1000+:¥7.44
2500+:¥6.9358+:¥7.31
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TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
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500+:¥8.97
1000+:¥7.44
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Digi-Key 得捷电子
TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:¥15.93
10+:¥14.3501
25+:¥12.82
100+:¥11.53
250+:¥10.26
500+:¥8.97
1000+:¥7.44
2500+:¥6.93
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Mouser 贸泽电子
TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
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TK10A60D(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W(Tc) 类型:N沟道1+:¥12.71
10+:¥9.48
30+:¥8.88
100+:¥8.29
500+:¥8.03
1000+:¥7.9