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TK10A60D(STA4,Q,M) /MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A
TK10A60D(STA4,Q,M)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220SIS-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:750 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:45 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:DTMOSIV

高度:15 mm

长度:10 mm

系列:TK10A60D

晶体管类型:1 N-Channel

类型:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1.5 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:55 ns

单位重量:6 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)北京市经济技术开发区兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936		王静Email:wangjing@chipspower.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼4008626627
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市昌明长信电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座26层0755-83031171
13691822317		钟晓纯Email:sales@changmingele.com询价
深圳市赛美科科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
上海三崧电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层021-51571123
17621743344		樊勉Email:sam.fan@sansongelec.com询价
深圳市华康联电子科技有限公司TK10A60D(STA4，Q，M)深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场3210B0755-83771181
18570339653		廖SEmail:tangqiuyou168@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市会林科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市龙岗区吉华街道水径社区细靓南九巷13号50215575768805
13924330309		王先生Email:251009521@qq.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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万三科技（深圳）有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市拓亿芯电子有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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国丰临科技（深圳）有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)国利大厦2701室0755-88604484
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深圳市瑞浩芯科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室0755-84877094
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深圳市中飞凌科技有限公司TK10A60D(STA4,Q,M)深圳市福田区华康大厦1栋62315307553891
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TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET MOSFET N-ch 600V 10AToshibaToshiba的LOGO266.60 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址无
TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO272.23 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址无
TK10A60D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO272.23 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址无
TK10A60D(STA4,Q,M)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO248.70 Kbytes共6页TK10A60D(STA4,Q,M)的PDF下载地址无
TK10A60D(STA4,Q,M)的全球分销商及价格
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元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:￥15.93
10+:￥14.3501
25+:￥12.82
100+:￥11.53
250+:￥10.26
500+:￥8.97
1000+:￥7.44
2500+:￥6.9358+:￥7.31
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:￥15.93
10+:￥14.3501
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS$1.05750
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		TK10A60D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1+:￥15.93
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Mouser 贸泽电子		TK10A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-ch 600V 10A1:¥17.2099
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		TK10A60D(STA4,Q,M)TOSHIBA(东芝)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道1+:￥12.71
10+:￥9.48
30+:￥8.88
100+:￥8.29
500+:￥8.03
1000+:￥7.9
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