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TK100E08N1,S1X(S /MOSFET,N-channel,80V,214A,TO220
TK100E08N1,S1X(S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:214 A

最大漏源电压:80 V

最大漏源电阻值:3.2 m0hms

最大栅阈值电压:4V

最小栅阈值电压:2V

最大栅源电压:-20 V、+20 V

封装类型:TO-220

安装类型:通孔

引脚数目:3

通道模式:增强

类别:开关调节器

最大功率耗散:255 W

典型接通延迟时间:53 ns

典型关断延迟时间:140 ns

典型输入电容值@Vds:9000 pF @ 40 V

典型栅极电荷@Vgs:130 nC @ 10 V

晶体管材料:Si

系列:U-MOSVIII-H

每片芯片元件数目:1

宽度:4.45mm

长度:10.16mm

高度:15.1mm

正向二极管电压:1.2V

尺寸:10.16 x 4.45 x 15.1mm

最高工作温度:+150 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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TK100E08N1,S1X(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.89
10+:¥5.19
30+:¥4.87
100+:¥4.56
500+:¥4.42
1000+:¥4.36