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TK100E08N1,S1X(S /MOSFET,N-channel,80V,214A,TO220
TK100E08N1,S1X(S的规格信息
TK100E08N1,S1X(S的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：214 A

最大漏源电压：80 V

最大漏源电阻值：3.2 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TO-220

安装类型：通孔

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：开关调节器

最大功率耗散：255 W

典型接通延迟时间：53 ns

典型关断延迟时间：140 ns

典型输入电容值@Vds：9000 pF @ 40 V

典型栅极电荷@Vgs：130 nC @ 10 V

晶体管材料：Si

系列：U-MOSVIII-H

每片芯片元件数目：1

宽度：4.45mm

长度：10.16mm

高度：15.1mm

正向二极管电压：1.2V

尺寸：10.16 x 4.45 x 15.1mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商TK100E08N1,S1X(S
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深圳市星宇佳科技有限公司TK100E08N1,S1X(S深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司TK100E08N1,S1X(S深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司TK100E08N1,S1X(S深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司TK100E08N1,S1X(S深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市雄创芯业电子科技有限公司TK100E08N1,S1X(S深圳市龙岗区吉星花园7栋30613631670223徐小姐Email:13631670223@139.com询价
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TK100E08N1,S1X(S连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO247.18 Kbytes共9页TK100E08N1,S1X(S的PDF下载地址无
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立创商城		TK100E08N1,S1X(STOSHIBA(东芝)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：255W(Tc) 类型：N沟道1+:￥6.89
10+:￥5.19
30+:￥4.87
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500+:￥4.42
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