TK100E08N1,S1X(S
/MOSFET,N-channel,80V,214A,TO220
TK100E08N1,S1X(S的规格信息
通道类型:N
最大连续漏极电流:214 A
最大漏源电压:80 V
最大漏源电阻值:3.2 m0hms
最大栅阈值电压:4V
最小栅阈值电压:2V
最大栅源电压:-20 V、+20 V
封装类型:TO-220
安装类型:通孔
引脚数目:3
通道模式:增强
类别:开关调节器
最大功率耗散:255 W
典型接通延迟时间:53 ns
典型关断延迟时间:140 ns
典型输入电容值@Vds:9000 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs:130 nC @ 10 V
晶体管材料:Si
系列:U-MOSVIII-H
每片芯片元件数目:1
宽度:4.45mm
长度:10.16mm
高度:15.1mm
正向二极管电压:1.2V
尺寸:10.16 x 4.45 x 15.1mm
最高工作温度:+150 °C
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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芯莱德电子(香港)有限公司 | TK100E08N1,S1X(S | 深圳市福田区航都大厦10L | 13352985419 13352985419,19076157484 | 杨先生 | | 询价 |
深圳市坤融电子有限公司 | TK100E08N1,S1X(S | 航都大厦11FG | 0755-23990975 17318082080,13510287235 | 肖瑶,树平 | | 询价 |
集好芯城 | TK100E08N1,S1X(S | 深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼 | 4008626627 18129819897 | 蔡小姐 | | 询价 |
深圳市拓亿芯电子有限公司 | TK100E08N1,S1X(S | 深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603 | 0755-82777855,0755-82702619 13510175077 | 刘先生,李小姐 | | 询价 |
集好芯城 | TK100E08N1,S1X(S | 深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼 | 0755-83285882 18188616606 | 陈妍 | | 询价 |
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型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
TK100E08N1,S1X(S | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道 | TOSHIBA(东芝) | | 247.18 Kbytes | 共9页 | | 无 |
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立创商城 | TK100E08N1,S1X(S | TOSHIBA(东芝) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:3.2mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):255W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.89 10+:¥5.19 30+:¥4.87 100+:¥4.56 500+:¥4.42 1000+:¥4.36
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