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TK100L60W,VQ /MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
TK100L60W,VQ的规格信息
TK100L60W,VQ的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PL-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:360 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:797 W

配置:Single

商标名:DTMOSIV

高度:26 mm

长度:20 mm

系列:TK100L60

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:Toshiba

下降时间:125 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:130 ns

工厂包装数量:100

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:690 ns

典型接通延迟时间:230 ns

单位重量:7 g

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北京芯时代电子科技发展有限公司TK100L60W,VQ兴茂一街7号院U谷科创中心A座60213261242936
13261242936
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深圳市创芯弘科技有限公司TK100L60W,VQ华富路华匀大厦2栋0755-88377859
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刘心Email:308007118@qq.COM询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司TK100L60W,VQ深圳市福田区振兴西路华康大厦二栋614室0755-84877094
“17503034873”13725596657
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Digi-Key 得捷电子
TK100L60W,VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF1+:¥226.93
10+:¥209.9101
25+:¥192.8899
100+:¥179.27
250+:¥164.53
500+:¥156.58
1000+:¥147.51
2500+:¥142.97
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TK100L60W,VQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 100A TO3P$33.12000
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Mouser 贸泽电子
TK100L60W,VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF1:¥275.6974
5:¥228.9832
10:¥227.2204
25:¥222.5309
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TK100L60W,VQToshiba America Electronic Components, Inc.FET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF1+:¥226.93
10+:¥209.9101
25+:¥192.8899
100+:¥179.27
250+:¥164.53
500+:¥156.58
1000+:¥147.51
2500+:¥142.971+:¥180.89
10+:¥167.97
25+:¥167.97
50+:¥167.97
100+:¥167.97
250+:¥167.97
500+:¥160.33
1000+:¥160.33
2500+:¥155.05