FET特点：Standard

封装：Tube

安装类型：Through Hole

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 1mA

封装/外壳：TO-220-3 Full Pack

供应商设备封装：TO-220SIS

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：750 mOhm @ 5A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：45W

标准包装：150

漏极至源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：10A (Ta)

输入电容（Ciss ） @ VDS：1300pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：40nC @ 10V

工厂包装数量：50

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V

晶体管类型：1 N-Channel

Qg - Gate Charge：40 nC

系列：TK10A60E

品牌：Toshiba

Id - Continuous Drain Current：10 A

身高：15.1 mm

安装风格：Through Hole

长度：10.16 mm

通道数：1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance：750 mOhms

Pd - Power Dissipation：45 W

晶体管极性：N-Channel

配置：Single

技术：Si

RoHS：RoHS Compliant