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TK10A60E,S5X / MOSFET N-CH 600V TO220SIS
TK10A60E,S5X的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET特点:Standard

封装:Tube

安装类型:Through Hole

的Vgs(th ) (最大)@ Id:4V @ 1mA

封装/外壳:TO-220-3 Full Pack

供应商设备封装:TO-220SIS

开态Rds(最大)@ Id ,V GS:750 mOhm @ 5A, 10V

FET型:MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大:45W

标准包装:150

漏极至源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:10A (Ta)

输入电容(Ciss ) @ VDS:1300pF @ 25V

闸电荷(Qg ) @ VGS:40nC @ 10V

工厂包装数量:50

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V

晶体管类型:1 N-Channel

Qg - Gate Charge:40 nC

系列:TK10A60E

品牌:Toshiba

Id - Continuous Drain Current:10 A

身高:15.1 mm

安装风格:Through Hole

长度:10.16 mm

通道数:1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance:750 mOhms

Pd - Power Dissipation:45 W

晶体管极性:N-Channel

配置:Single

技术:Si

RoHS:RoHS Compliant

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Shenzhen Qtree Technology Co.,LtdTK10A60E,S5X5902ab,SEG Plaza,Huaqiang North Road,Futian District,Shenzhen(0755)-82575207
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深圳市永琰电子科技有限公司TK10A60E,S5X广东省 深圳市 福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层1号10A150755-82576195
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TK10A60E,S5XMOSFET N-CH 600V 10A TO220SISToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO235.19 Kbytes共9页TK10A60E,S5X的PDF下载地址
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TK10A60E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS价格未公开