标准包装：3,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4A

Rds（最大）@ ID，VGS：46 mOhm @ 4A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：2.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：2.5nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：280pF @ 15V

功率 - 最大：1W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装：6-uDFN (2x2)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

动态目录：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16803?mpart=SSM6N55NU,LF&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 100µA

供应商设备封装：6-µDFN(2x2)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：46 mOhm @ 4A, 10V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：1W

标准包装：3,000

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：280pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：2.5nC @ 4.5V

封装/外壳：6-WDFN Exposed Pad

其他名称：SSM6N55NULFCT

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

晶体管极性：N-Channel

源极击穿电压：20 V

连续漏极电流：4 A

RDS（ON）：64 mOhms

功率耗散：1 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：UDFN-6

配置：Single

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：30 V

RoHS：RoHS Compliant

栅极电荷Qg：2.5 nC