标准包装:3,000
FET 型
:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:4A
Rds(最大)@ ID,VGS:46 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:2.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS:2.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的:280pF @ 15V
功率 - 最大:1W
安装类型
:Surface Mount
包/盒
:6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装:6-uDFN (2x2)
包装材料
:Tape & Reel (TR)
动态目录:N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16803?mpart=SSM6N55NU,LF&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
FET特点:Logic Level Gate
封装:Tape & Reel (TR)
安装类型:Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:4A
的Vgs(th ) (最大)@ Id:2.5V @ 100µA
供应商设备封装:6-µDFN(2x2)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:46 mOhm @ 4A, 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:1W
标准包装:3,000
漏极至源极电压(Vdss):30V
输入电容(Ciss ) @ VDS:280pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS:2.5nC @ 4.5V
封装/外壳:6-WDFN Exposed Pad
其他名称:SSM6N55NULFCT
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
安装风格:SMD/SMT
晶体管极性:N-Channel
源极击穿电压:20 V
连续漏极电流:4 A
RDS(ON):64 mOhms
功率耗散:1 W
最低工作温度:- 55 C
封装/外壳:UDFN-6
配置:Single
最高工作温度:+ 150 C
漏源击穿电压:30 V
RoHS:RoHS Compliant
栅极电荷Qg:2.5 nC