数据列表：SSM6L11TU -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：145毫欧 @ 250MA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：268pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SMD，扁平引线

供应商器件封装：UF6

其它名称：SSM6L11TU(TE85LF)TRSSM6L11TUTE85LF