数据列表:SSM6L11TU -
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):145毫欧 @ 250MA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):268pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
供应商器件封装:UF6
其它名称:SSM6L11TU(TE85LF)TRSSM6L11TUTE85LF