制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:80 mA, 720 mA

Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms, 300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V, 8 V

Qg-栅极电荷:2 nC, 1.76 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.55 mm

长度:1.6 mm

系列:SSM6L14FE

宽度:1.2 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:1.05 S, 850 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:50 ns, 38 ns

典型接通延迟时间:18 ns, 11 ns

单位重量:3 mg