制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-563-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:80 mA, 720 mA
Rds On-漏源导通电阻:240 mOhms, 300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V, 8 V
Qg-栅极电荷:2 nC, 1.76 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
高度:0.55 mm
长度:1.6 mm
系列:SSM6L14FE
宽度:1.2 mm
商标:Toshiba
正向跨导 - 最小值:1.05 S, 850 mS
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:50 ns, 38 ns
典型接通延迟时间:18 ns, 11 ns
单位重量:3 mg