产品培训模块：Small Signal MOSFET

标准包装：4,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：180mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 50mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：9.5pF @ 3V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）

其它名称：SSM6N35FE(TE85L,F)SSM6N35FE(TE85LF)TRSSM6N35FE(TE85LF)TR-NDSSM6N35FE,LM(BSSM6N35FE,LM(TSSM6N35FELMTRSSM6N35FETE85LF