产品培训模块:Small Signal MOSFET
标准包装:4,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):180mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9.5pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)
其它名称:SSM6N35FE(TE85L,F)SSM6N35FE(TE85LF)TRSSM6N35FE(TE85LF)TR-NDSSM6N35FE,LM(BSSM6N35FE,LM(TSSM6N35FELMTRSSM6N35FETE85LF