标准包装：4,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：250mA

Rds（最大）@ ID，VGS：2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：12pF @ 10V

功率 - 最大：150mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：ES6

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

动态目录：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16803?mpart=SSM6N37FE,LM&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

FET Feature：Logic Level Gate

Packaging：Tape & Reel (TR)

Mounting Type：Surface Mount

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：250mA

Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 1mA

Supplier Device Package：ES6

Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V

FET Type：2 N-Channel (Dual)

Power - Max：150mW

Standard Package：4,000

Drain to Source Voltage (Vdss)：20V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：12pF @ 10V

Package/Case：SOT-563, SOT-666

Other Names：SSM6N37FELMCT

rohs：Lead free / RoHS Compliant

Mounting Style：SMD/SMT

Transistor Polarity：N-Channel

Gate-Source Breakdown Voltage：10 V

Continuous Drain Current：250 mA

Rds On：5.6 Ohms

Power Dissipation：150 mW

Package / Case：SOT-563

Drain-Source Breakdown Voltage：20 V

RoHS：RoHS Compliant