FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):15.1pF @ 3V
功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6