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SSM6N48FU,RF(D /MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
SSM6N48FU,RF(D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 欧姆 @ 10mA,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):15.1pF @ 3V

功率 - 最大值:300mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:US6

供应商SSM6N48FU,RF(D
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