FET 类型:2 个 N 沟道（双）

FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）:30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:3.2 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:15.1pF @ 3V

功率 - 最大值:300mW

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装:US6