Rohs:Lead free / RoHS Compliant
标准包装:4,000
FET 型
:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS):30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C:100mA
Rds(最大)@ ID,VGS:4 Ohm @ 10mA, 4V
VGS(TH)(最大)@ Id:1.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS:-
输入电容(Ciss)@ Vds的:7.8pF @ 3V
功率 - 最大:150mW
安装类型
:Surface Mount
包/盒
:SOT-563, SOT-666
供应商器件封装:ES6 (1.6x1.6)
包装材料
:Tape & Reel (TR)
包装:6ES
通道模式:Enhancement
最大漏源电压:30 V
最大连续漏极电流:0.1 A
RDS -于:4000@4V mOhm
最大门源电压:±20 V
工作温度:-55 to 150 °C
安装:Surface Mount
标准包装:Tape & Reel
最大门源电压:±20
欧盟RoHS指令:Compliant
最高工作温度:150
标准包装名称:EMT
最低工作温度:-55
渠道类型:N
封装:Tape and Reel
最大漏源电阻:4000@4V
最大漏源电压:30
每个芯片的元件数:2
供应商封装形式:ES
最大功率耗散:150
最大连续漏极电流:0.1
引脚数:6
铅形状:Flat
FET特点:Logic Level Gate
安装类型:Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:100mA
的Vgs(th ) (最大)@ Id:1.5V @ 100µA
供应商设备封装:ES6 (1.6x1.6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS:4 Ohm @ 10mA, 4V
FET型:2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:150mW
漏极至源极电压(Vdss):30V
输入电容(Ciss ) @ VDS:7.8pF @ 3V
封装/外壳:SOT-563, SOT-666
RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant
其他名称:SSM6N15FE(TE85LF)CT
工厂包装数量:4000
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
源极击穿电压:+/- 20 V
连续漏极电流:0.1 A
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:150 mW
最低工作温度:- 55 C
封装/外壳:SOT-563
配置:Dual
最高工作温度:+ 150 C