Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：4,000

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：100mA

Rds（最大）@ ID，VGS：4 Ohm @ 10mA, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：1.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：7.8pF @ 3V

功率 - 最大：150mW

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-563, SOT-666

供应商器件封装：ES6 (1.6x1.6)

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：6ES

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：30 V

最大连续漏极电流：0.1 A

RDS -于：4000@4V mOhm

最大门源电压：±20 V

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

标准包装名称：EMT

最低工作温度：-55

渠道类型：N

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：4000@4V

最大漏源电压：30

每个芯片的元件数：2

供应商封装形式：ES

最大功率耗散：150

最大连续漏极电流：0.1

引脚数：6

铅形状：Flat

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：100mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1.5V @ 100µA

供应商设备封装：ES6 (1.6x1.6)

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：4 Ohm @ 10mA, 4V

FET型：2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：150mW

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：7.8pF @ 3V

封装/外壳：SOT-563, SOT-666

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：SSM6N15FE(TE85LF)CT

工厂包装数量：4000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：0.1 A

安装风格：SMD/SMT

功率耗散：150 mW

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SOT-563

配置：Dual

最高工作温度：+ 150 C