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SSM6N15FE(TE85L,F) / Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin ES T/R
SSM6N15FE(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

标准包装:4,000

FET 型 :2 N-Channel (Dual)

FET特点:Logic Level Gate

漏极至源极电压(VDSS):30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C:100mA

Rds(最大)@ ID,VGS:4 Ohm @ 10mA, 4V

VGS(TH)(最大)@ Id:1.5V @ 100µA

栅极电荷(Qg)@ VGS:-

输入电容(Ciss)@ Vds的:7.8pF @ 3V

功率 - 最大:150mW

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :SOT-563, SOT-666

供应商器件封装:ES6 (1.6x1.6)

包装材料 :Tape & Reel (TR)

包装:6ES

通道模式:Enhancement

最大漏源电压:30 V

最大连续漏极电流:0.1 A

RDS -于:4000@4V mOhm

最大门源电压:±20 V

工作温度:-55 to 150 °C

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

最大门源电压:±20

欧盟RoHS指令:Compliant

最高工作温度:150

标准包装名称:EMT

最低工作温度:-55

渠道类型:N

封装:Tape and Reel

最大漏源电阻:4000@4V

最大漏源电压:30

每个芯片的元件数:2

供应商封装形式:ES

最大功率耗散:150

最大连续漏极电流:0.1

引脚数:6

铅形状:Flat

FET特点:Logic Level Gate

安装类型:Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C:100mA

的Vgs(th ) (最大)@ Id:1.5V @ 100µA

供应商设备封装:ES6 (1.6x1.6)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS:4 Ohm @ 10mA, 4V

FET型:2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大:150mW

漏极至源极电压(Vdss):30V

输入电容(Ciss ) @ VDS:7.8pF @ 3V

封装/外壳:SOT-563, SOT-666

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

其他名称:SSM6N15FE(TE85LF)CT

工厂包装数量:4000

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

源极击穿电压:+/- 20 V

连续漏极电流:0.1 A

安装风格:SMD/SMT

功率耗散:150 mW

最低工作温度:- 55 C

封装/外壳:SOT-563

配置:Dual

最高工作温度:+ 150 C

供应商SSM6N15FE(TE85L,F)
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