FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 0.1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9.3pF @ 3V
功率 - 最大值：150mW
工作温度：150°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs