FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 0.1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9.3pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs