数据列表:SSM6L16FE -
标准包装:4,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9.3pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
其它名称:SSM6L16FE(TE85L,F)SSM6L16FE(TE85LF)TRSSM6L16FE(TE85LF)TR-NDSSM6L16FETE85LFSSM6L35FE,LM(TSSM6L35FELM(TTRSSM6L35FELM(TTR-NDSSM6L35FELMTR