产品培训模块:Small Signal MOSFET
标准包装:4,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):630 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.23nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):46pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6(1.6x1.6)
其它名称:SSM6N36FE(TE85LF)TRSSM6N36FE(TE85LF)TR-NDSSM6N36FE,LM(TSSM6N36FELM(TTRSSM6N36FELM(TTR-NDSSM6N36FELMTRSSM6N36FETE85LF