数据列表:SSM6N15AFU -
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13.5pF @ 3V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
其它名称:SSM6N15AFU,LF(BSSM6N15AFU,LF(TSSM6N15AFULFSSM6N15AFULFTR