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SSM6N16FUTE85LF /MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
SSM6N16FUTE85LF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:5.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Pd-功率耗散:200 mW

配置:Dual

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:SSM6N16

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Toshiba

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:125 ns

典型接通延迟时间:70 ns

单位重量:7.500 mg

供应商SSM6N16FUTE85LF
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