制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:ES6-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:500 mA, 330 mA
Rds On-漏源导通电阻:460 mOhms, 950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V, 8 V
Qg-栅极电荷:1.23 nC, 1.2 nC
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:150 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.55 mm
长度:1.6 mm
系列:SSM6L36
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度:1.2 mm
商标:Toshiba
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:75 ns, 200 ns
典型接通延迟时间:30 ns, 90 ns