制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:UDFN-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V, 12 V

Qg-栅极电荷:3.6 nC, 6.74 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:2 mm

产品:MOSFETs

系列:UMOSIX

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

类型:Silicon P-/N-Channel MOS

宽度:2 mm

商标:Toshiba

正向跨导 - 最小值:12 S, 9.5 S

下降时间:-

产品类型:MOSFET

上升时间:-

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:45 ns, 54 ns

典型接通延迟时间:25 ns, 21 ns