制造商:Toshiba
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:UDFN-6
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:108 mOhms, 157 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV, 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压:8 V, 12 V
Qg-栅极电荷:3.6 nC, 6.74 nC
最小工作温度:-
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:0.75 mm
长度:2 mm
产品:MOSFETs
系列:UMOSIX
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
类型:Silicon P-/N-Channel MOS
宽度:2 mm
商标:Toshiba
正向跨导 - 最小值:12 S, 9.5 S
下降时间:-
产品类型:MOSFET
上升时间:-
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:45 ns, 54 ns
典型接通延迟时间:25 ns, 21 ns