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SIA449DJ-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA449DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:15.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:31 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:8 ns

供应商SIA449DJ-T1-GE3
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SIA449DJ-T1-GE3SIA449DJ-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 10.4 A; 30 V; 6-Pin SC-70Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO207.30 Kbytes共9页SIA449DJ-T1-GE3的PDF下载地址
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SIA449DJ-T1-GE3Siliconix / VishaySIA449DJ-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 10.4 A; 30 V; 6-Pin SC-70+1:$0.30
+100:$0.29
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SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6$0.48000
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Digi-Key 得捷电子
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Mouser 贸泽电子
SIA449DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III1+:¥3.56
10+:¥2.9901
25+:¥2.63
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