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SIA418DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIA418DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):570pF @ 15V

功率 - 最大值:19W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称:SIA418DJ-T1-GE3TRSIA418DJT1GE3

供应商SIA418DJ-T1-GE3
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SIA418DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO193.26 Kbytes共9页SIA418DJ-T1-GE3的PDF下载地址
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SIA418DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V1+:¥3.2
10+:¥2.7
25+:¥2.37
100+:¥2.02
250+:¥1.76
500+:¥1.49
1000+:¥1.151+:¥2.44
10+:¥1.83
100+:¥1.36
500+:¥1.15
1000+:¥1.0099
3000+:¥0.97
6000+:¥0.97
9000+:¥0.89
24000+:¥0.871+:¥1.1601
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SIA418DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Obsolete
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SIA418DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V1+:¥3.2
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SIA418DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V1+:¥3.2
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1000+:¥1.0099
3000+:¥0.97
6000+:¥0.97
9000+:¥0.89
24000+:¥0.87