| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Arrow(艾睿) | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET N-Channel 30 V (D-S) FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.531+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.31+:￥1.59 |
Avnet Express | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | 3,000 : $0.1999
14,999 : $0.1855
29,999 : $0.1815
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Digi-Key 得捷电子 | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC-70 | 3,000 : $0.20925
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Digi-Key 得捷电子 | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | Obsolete |
Digi-Key 得捷电子 | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET N-Channel 30 V (D-S) FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.53 |
Digi-Key 得捷电子 | SIA444DJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK | Obsolete |
element14 Asia-Pacific | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETN CHDIODE30V12ASC70 PPAK
RoHS : Compliant | 1 : $4.5
10 : $3.5
100 : $3.2
250 : $2.9
500 : $2.5
1,000 : $2.0
3,000 : $1.7
9,000 : $1.7
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Mouser 贸泽电子 | SIA444DJT-T1-GE3 | Vishay | 半导体 MOSFET N-Channel 30 V (D-S) FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 | 3000+:￥1.531+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.3 |
立创商城 | SIA444DJT | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:￥4.98
10+:￥3.67
30+:￥3.43
100+:￥3.19
500+:￥3.09
1000+:￥3.03
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立创商城 | SIA444DJT-T1-GE3 | VISHAY(威世) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 7.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥4.41
10+:￥4.3
30+:￥4.22
100+:￥4.15
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