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SIA431DJ-T1-GE3 /Single P-Channel 20 V 25 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
SIA431DJ-T1-GE3的规格信息
SIA431DJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):12A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,4.5V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):850mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):60nC @ 8V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1700pF @ 10V

Vgs(最大值):±8V

功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):25 毫欧 @ 6.5A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

封装形式Package:SC-70-6

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:12A

漏源极导通电阻RDS(ON):70mOhms

栅源极阀值电压VGS(th):0.85V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SIA431DJ-T1-GE3
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深圳市成源运利电子科技有限公司SIA431DJ-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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SIA431DJ-T1-GE3P-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO1252.63 Kbytes共9页SIA431DJ-T1-GE3的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
6000+:¥1.47
15000+:¥1.42
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6000+:¥1.4801
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24000+:¥1.423000+:¥1.873000+:¥0.8399
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SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
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Digi-Key 得捷电子
SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
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Digi-Key 得捷电子
SIA431DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6$0.62000
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Future(富昌)
SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
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1000+:¥1.62
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24000+:¥1.423000+:¥1.873000+:¥0.8399
9000+:¥0.8201
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Mouser 贸泽电子
SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
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9000+:¥1.47
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Mouser 贸泽电子
SIA431DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-701:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥2.3052
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
SIA431DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 25mohm @ 4.5V3000+:¥1.58
6000+:¥1.47
15000+:¥1.42
30000+:¥1.36
75000+:¥1.34
150000+:¥1.311+:¥3.42
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100+:¥2.05
500+:¥1.74
1000+:¥1.62
3000+:¥1.62
6000+:¥1.4801
9000+:¥1.47
24000+:¥1.423000+:¥1.873000+:¥0.8399
9000+:¥0.82011+:¥1.231+:¥2.03
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立创商城
SIA431DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.7533
10+:¥1.3211
30+:¥1.2417
100+:¥1.1624
500+:¥1.1271
1000+:¥1.1096