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SIA426DJ-T1-GE3 /N-Channel 20 V 23.6 mO 27 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
SIA426DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:TrenchFET®

FET类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.5A(Tc)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 10V

Vgs(最大值):±12V

功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):23.6 毫欧 @ 9.9A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

封装形式Package:SC-70-6

极性Polarity:N-CH

漏源极击穿电压VDSS:20V

连续漏极电流ID:4.5A

漏源极导通电阻RDS(ON):23.6mOhms

无铅情况/RoHs:

供应商SIA426DJ-T1-GE3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SiA426DJ-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIA426DJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SIA426DJ-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市莱杰信科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
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深圳市惊羽科技有限公司SIA426DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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深圳市金华微盛电子有限公司SiA426DJ-T1-GE3深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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深圳市威雅利发展有限公司SiA426DJ-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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SIA426DJ-T1-GE3N-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO221.57 Kbytes共9页SIA426DJ-T1-GE3的PDF下载地址
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SIA426DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V3000+:¥2.75
6000+:¥2.61
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SIA426DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET3,000 : $0.216
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SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.3814
14,999 : $0.3629
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SIA426DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V3000+:¥2.75
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SIA426DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-66,000 : $0.3591
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SIA426DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R$0.4884
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Verical
SIA426DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V3000+:¥2.75
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