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SIA430DJ-T4-GE3 /MOSFET N-CH 20V SC-70-6
SIA430DJ-T4-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列TrenchFET®

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Ta),12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)13.5 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)18nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)800pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散(最大值)3.5W(Ta),19.2W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SC-70-6 单

封装/外壳PowerPAK® SC-70-6

供应商SIA430DJ-T4-GE3
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