• 信息最全的元器件资料网
一键搜索元器件图片、规格参数、供应商、PDF资料、价格
当前位置：首页
SIA436DJ-T1-GE3 /MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
SIA436DJ-T1-GE3的规格信息
SIA436DJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:8 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:9.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SIA436DJ-GE3

供应商SIA436DJ-T1-GE3
SIA436DJ-T1-GE3的供应商,可免费索样
供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiA436DJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SIA436DJ-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
万三科技（深圳）有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiA436DJ-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIA436DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
SIA436DJ-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SIA436DJ-T1-GE3MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO226.57 Kbytes共9页SIA436DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA436DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO226.49 Kbytes共9页SIA436DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA436DJ-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 15.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO219.16 Kbytes共9页SIA436DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA436DJ-T1-GE3SIA436DJ-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 8 V, 6-Pin PowerPAK SC-70Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO226.13 Kbytes共9页SIA436DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA436DJ-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SIA436DJ-T1-GE3Siliconix / VishaySIA436DJ-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 8 V, 6-Pin PowerPAK SC-70+3000:$0.92
+6000:$0.73
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIA436DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
75000+:￥1.43
150000+:￥1.41+:￥3.65
10+:￥2.87
100+:￥2.1799
500+:￥1.8599
1000+:￥1.72
3000+:￥1.72
6000+:￥1.58
9000+:￥1.57
24000+:￥1.511+:￥1.89
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA436DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6$0.66000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA436DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
75000+:￥1.43
150000+:￥1.4
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA436DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-701:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA436DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 8V 12A 19W 9.4mohm @ 4.5V3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
75000+:￥1.43
150000+:￥1.41+:￥3.65
10+:￥2.87
100+:￥2.1799
500+:￥1.8599
1000+:￥1.72
3000+:￥1.72
6000+:￥1.58
9000+:￥1.57
24000+:￥1.51
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIA436DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：8V 栅源极阈值电压：800mV @ 250uA 漏源导通电阻：9.4mΩ @ 15.7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.32
10+:￥3.23
30+:￥3.18
100+:￥3.12
SIA436DJ-T1-GE3的相关型号
加为收藏 粤ICP备16009799号