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SIA440DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIA440DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 20V

功率 - 最大值:19W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称:SIA440DJ-T1-GE3TR

供应商SIA440DJ-T1-GE3
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SIA440DJ-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 40V 26mOhm@10V 12A N-CH FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品6000+:¥1.111+:¥2.8401
10+:¥2.11
100+:¥1.57
500+:¥1.3301
1000+:¥1.1799
3000+:¥1.12
6000+:¥1.12
9000+:¥1.03
24000+:¥11+:¥1.22
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SIA440DJ-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 40V 26mOhm@10V 12A N-CH FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品6000+:¥1.11
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SIA440DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-701:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥2.147
500:¥1.7628
1,000:¥1.356
3,000:¥1.356
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Mouser 贸泽电子
SIA440DJ-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 40V 26mOhm@10V 12A N-CH FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品6000+:¥1.111+:¥2.8401
10+:¥2.11
100+:¥1.57
500+:¥1.3301
1000+:¥1.1799
3000+:¥1.12
6000+:¥1.12
9000+:¥1.03
24000+:¥1
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SIA440DJ-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:¥3.93
200+:¥1.52
500+:¥1.47
1000+:¥1.44