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SIA417DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIA417DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 4V

功率 - 最大值:19W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称:SIA417DJ-T1-GE3TRSIA417DJT1GE3

供应商SIA417DJ-T1-GE3
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SIA417DJ-T1-GE3P-Channel 8-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO99.11 Kbytes共7页SIA417DJ-T1-GE3的PDF下载地址
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10+:¥3.94
100+:¥3.65
250+:¥3.13
500+:¥2.6701
1000+:¥2.39
3000+:¥2.1601
6000+:¥2.08
12000+:¥1.971+:¥2.57
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SIA417DJ-T1-GE3Vishay SiliconixP CHANNEL MOSFET -8V 12A SC-70
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