FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：350pF @ 10V
功率耗散（最大值）：2.4W（Ta），11.4W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 3.9A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PowerPAK® SC-70-6 单
封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs