单位包：3000

最小起订量：3000

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：12A (Ta), 28A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：20V

标准包装：3,000

供应商设备封装：PowerPAK® SC-70-6 Single

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：16.5 mOhm @ 5A, 4.5V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：3.5W

封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6

输入电容（Ciss ） @ VDS：2410pF @ 10V

其他名称：SIA439EDJ-T1-GE3TR

闸电荷（Qg ） @ VGS：69nC @ 8V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Single

源极击穿电压：8 V

连续漏极电流：- 28 A

正向跨导 - 闵：24 S

RDS（ON）：42 mOhms

功率耗散：19 W

最低工作温度：- 55 C

栅极电荷Qg：26.7 nC

典型关闭延迟时间：95 ns

上升时间：20 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 20 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：25 ns